EAS-2J200A
雪崩測試機
測試規範 - Vth
Vth基於:[MIL750 3404]
| 目的 | 這項測試的目的是建立测量MOSFET閥值電壓的方法。 該方法適用于增强模式和空乏MOSFET，以及矽-藍寶石和SiC MOSFET。 主要用於評估MOSFET對電離輻射的響應，因此，這種測試與傳統測量閾值電壓的方法不同。 |
| 方針 | DUT的Drain(D)與Gate(G)短路，於DUT的Drain(D)與Source(S)端施加一測試電流，目前常見的測試電流值為250uA，此時量測G-S端間的電壓值即為VTH。 |
