MOSRG-1M40F

MOSRG-1M40F(RG測試機)

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基本功能

電阻電容測試-可測量MOSFET RG性能

測試規格
測試項目 量測名稱 量測源 輸出名稱 輸出源
單位 範圍 精度 單位 範圍 精度
RG RG Ω 0.2～100 ±0.2 測試頻率 Mhz 1 1%±0.002
CG F 10p～0.1u 2%±5p Mhz 0.1 ±1%
CISS F 10p～0.1u 2%±5p 振幅 Vrms 0.1～1 ±5%±0.02V


偏移電壓V0.0~40.0±0.1
Conta CONTA-G Ω 0.000～10.000 ±3%±2cont Conta I A 0.1 ±1%±2cont
CONTA-D Ω 0.000～10.000 ±3%±2cont
CONTA-S Ω 0.000～10.000 ±3%±2cont

測試規範說明

Rg基於:[MIL750 3402.1]

目的 本測試的目的是確定功率MOSFET半導體設備的Gate等效串聯電阻（ESR）。
本測試方法提供了一種確保功率MOSFET設備切換一致性的手段。
GateESR測量結合Gate電荷測量提供了一種替代測試電路雜散元件的方法。
方針 本測試方法描述了兩種測試條件（A和B），通過這兩種條件可以確定MOSFET設備的GateESR。
本測試方法中的兩種測試條件描述如下：
測試條件A：使用LCR表來確定GateESR。[WEIMIN 使用該方針]
測試條件B：是一種手動方法來確定GateESR。
測試條件A所需的設備應包括以下設備，配置如圖所示，適用於指定的測試程序：
a. 如圖所示的GateESR測試電路。
(1) 漏和源開路模式測試電路（見圖上的負載OC）。
(2) 漏和源短路模式測試電路（見圖上的負載SC）。
(3) Ciss測試電路（見圖上的負載CC）。
b. LCR表。LCR表應能提供高達1伏（峰值）且頻率為1 MHz（典型）的正弦波信號。
注意事項：
條件A的總結：應為條件A指定以下條件和限制：
a. 測試頻率（以MHz為單位），典型為1 MHz。
b. GateESR（以Ω為單位），作為LCR表的Rs。
c. 有效Gate電容（以pF為單位），作為LCR表的Cs，可選。
d. 負載測試電路：
(1) OC：漏至源開路。[可選擇]
(2) SC：漏至源短路。 [可選擇]
(3) CC：Ciss電路。[未開放]