MOSRG-1M40F

MOSRG-1M40F(RG测试机)

  • 产品介绍, MOSRG-1M40F(RG测试机)
基本功能

电阻电容测试-可测量MOSFET RG性能

测试规格
测试项目 量测名称 量测源 输出名称 输出源
单位 范围 精度 单位 范围 精度
RG RG Ω 0.2～100 ±0.2 测试频率 Mhz 1 1%±0.002
CG F 10p～0.1u 2%±5p Mhz 0.1 ±1%
CISS F 10p～0.1u 2%±5p 振幅 Vrms 0.1～1 ±5%±0.02V


偏移电压V0.0~40.0±0.1
Conta CONTA-G Ω 0.000～10.000 ±3%±2cont Conta I A 0.1 ±1%±2cont
CONTA-D Ω 0.000～10.000 ±3%±2cont
CONTA-S Ω 0.000～10.000 ±3%±2cont

测试规范说明

Rg基于:[MIL750 3402.1]

目的 本测试的目的是确定功率MOSFET半导体设备的Gate等效串联电阻（ESR）。
本测试方法提供了一种确保功率MOSFET设备切换一致性的手段。
GateESR测量结合Gate电荷测量提供了一种替代测试电路杂散元件的方法。
方针 本测试方法描述了两种测试条件（A和B），通过这两种条件可以确定MOSFET设备的GateESR。
本测试方法中的两种测试条件描述如下：
测试条件A：使用LCR表来确定GateESR。 [WEIMIN 使用该方针]
测试条件B：是一种手动方法来确定GateESR。
测试条件A所需的设备应包括以下设备，配置如图所示，适用于指定的测试程序：
a.如图所示的GateESR测试电路。
(1)漏和源开路模式测试电路（见图上的负载OC）。
(2)漏和源短路模式测试电路（见图上的负载SC）。
(3)Ciss测试电路（见图上的负载CC）。
b.LCR表。 LCR表应能提供高达1伏（峰值）且频率为1 MHz（典型）的正弦波信号。
注意事项：
条件A的总结：应为条件A指定以下条件和限制：
a.测试频率（以MHz为单位），典型为1 MHz。
b.GateESR（以Ω为单位），作为LCR表的Rs。
c.有效Gate电容（以pF为单位），作为LCR表的Cs，可选。
d.负载测试电路：
(1)OC：漏至源开路。 [可选择]
(2)SC：漏至源短路。 [可选择]
(3)CC：Ciss电路。 [未开放]