ZCLED-42A02\N
分类机 四晶混光测试机-20V/2000mA
基本功能
基本功能
- 电性测试 : 顺向VF,DVF,VFD
逆向 VZ,IR - 光学测试 : 亮度LOP根据光学组件不同可测试cd/mcd/W/mW/lm…
波长λp,λd,λc,hw,purity,(x,y),CCT,CRI - 提供四线式量测及接触电阻功能避免误判
- 自动极性判别和预热功能
- 提供机械接口可搭配性高
- 可选配ESD静电测试系统或多晶测试系统
- 可测试 4 晶材料(可混光)
特殊功能
- 顺向电流最小提供0.1微安的输出
- 逆向电压可提供200V的输出
- 搭配ESD可达人体模式8000V
- 配合点胶软件可和前测机搭配作数据分析
- 配合产线管理系统可实时观察产能及数据查询
- 配合软件包可进行组件曲线扫描
- 软件操作方式简便
测试规格
| 测试 项目 |
量测规格 |
输出 项目 |
输出规格 |
备注 |
||||||
| 单位 |
范围 |
精度 | 重复性 |
单位 | 范围 |
精度 | 输出时间 |
|||
| VF | V | 0.1~20.00 | ±0.25%+0.002V | ±0.02 | IF | mA | 0.001~4.000 | ±1%+0.002 | 2~99mS | 1.2.8 |
| 4.01~40.00 | ±1%+0.02 | 0.3~99mS | ||||||||
| 40.1~400.0 | ±1%+0.2 | 0.3~99mS | ||||||||
| 401~2000 | ±1%+2 | 0.3~99mS | ||||||||
| DVF | V | 0.1~20.00 | ±0.25%+0.002V | ±0.02 | DIF | mA | 0.001~4.000 | ±1%+0.002 | 2~99mS | 1.2.8 |
| 4.01~40.00 | ±1%+0.02 | 0.3~99mS | ||||||||
| 40.1~400.0 | ±1%+0.2 | 0.3~99mS | ||||||||
| 401~2000 | ±1%+2 | 0.3~99mS | ||||||||
| POLA | 分辨极性,无读值显示 |
POLA IF |
mA | 4.01~400.0 | ±1%+0.2 | 1mS | ||||
| HEAT | 加热材料,无读值显示 |
HEAT IF |
mA | 0.001~4.000 | ±1%+0.002 | 2~99mS | 1.2.8 | |||
| 4.01~40.00 | ±1%+0.02 | 0.3~99mS | ||||||||
| 40.1~400.0 | ±1%+0.2 | 0.3~99mS | ||||||||
| 401~2000 | ±1%+2 | 0.3~99mS | ||||||||
| VFD | V | 0.1~20.00 | 大約值 |
±0.1 | IFD | uA | 100uA | 大約值 |
1.2.8 | |
| mA | 25mA | |||||||||
| VZ | V | 0.1~200.0 | ±0.25%+0.2 | ±0.2 | IZ | uA | 10.00~40.00 | ±1%+0.02 | 2~99mS | 1.2.8 |
| 40.1~400.0 | ±1%+0.2 | 2~99mS | ||||||||
| IR | uA | 0.001~4.000 | ±1%+0.002uA | ±0.005uA | VR | V | 0.01~200.0V | ±0.5%+0.02V | 2~99mS | 1.2.8 |
| 10.00~40.00 | ±1%+0.02uA | ±0.05uA | ||||||||
| 40.1~400.0 | ±1%+0.2uA | ±0.5uA | ||||||||
| LOP (Iv或Ie) |
0.01~4.000 | ±2% | ±1% | LOP IF |
mA | 0.001~4.000 | ±1%+0.002 | 2~99mS | 1.3.8 | |
| 4.01~40.00 | ±2% | ±1% | 4.01~40.00 | ±1%+0.02 | 0.3~99mS | |||||
| 40.1~400.0 | ±2% | ±1% | 40.1~400.0 | ±1%+0.2 | 0.3~99mS | |||||
| 使用校正方式可对应到(Iv或Ie) |
401~2000 | ±1%+2 | 0.3~99mS | |||||||
| λd | nm | 380.0~700.0 | ±0.5nm | ±0.3nm | spec IF |
mA | 0.001~4.000 | ±1%+0.002 | 2~99mS | 4.5.6.7.8 |
| λc | nm | 380.0~720.0 | ±0.5nm | ±0.3nm | 4.01~40.00 | ±1%+0.02 | 0.2~99mS | |||
| λp | nm | 380.0~1000.0 | ±0.5nm | ±0.3nm | 40.1~400.0 | ±1%+0.2 | 0.2~99mS | |||
| HW | nm | 3.0~600.0nm | ±0.5nm | ±0.3nm | 401~2000 | ±1%+2 | 0.2~99mS | |||
| Purity | 0.000~1.000 | ±0.002 | ±0.001 | CCD为2048pixel,积分时间最低0.2mS |
||||||
| CIE x.y | 0.0002~1.0000 | ±0.001 | ±0.0005 | |||||||
| CCT | °K | 1000~25000 | ±100 | ±50 | ||||||
| 四晶 混光 |
只测LOP与波长(同上) |
spec IFX4 |
mA | 1.0~20.00 | ±1%+0.02 | 1~99mS | 4.5.6.7.8 | |||
| 20.1~200.0 | ±1%+0.2 | 1~99mS | ||||||||
| 201~2000 | ±1%+2 | 1~99mS | ||||||||
- 1.使用一般LED测试结果,请确实排除受热和环境影响
- 2.S/N比较差时须使用电源滤波方式[50/60HZ],并且时间要大于50Hz=20mS 60Hz=16.6mS以上
- 3.使用标准件校正LOP并随波长修正
- 4.λd/Purity/CCT 由x.y计算,请参阅x.y的精度和重复性
- 5.过于平顶型LED会造成λp跳动过大
- 6.UV波段校正需使用UV标准灯源
- 7.λd读值仅限定在可见光源
- 8.量测输出电流越小需要根据现场状况适当增加时间
| 产品尺寸图 |
输出曲线图 |
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产品规格
| 尺寸 | 48.5(W)*52(L)*22(H)cm |
| 重量 | 18.98KG |
| 工作电压 | 单相 110V/220V |
| 功率 | 732W |






